m. (-s), een instrument met als gevoelig element een halfgeleider, om deeltjesstraling (alfaen betastraling) en elektromagnetische straling (röntgenen gammastraling) aan te tonen.
(e) De werking van een halfgeleiderdetector berust op het feit dat een invallend deeltje zijn energie in de →halfgeleider kwijt kan raken door zeer vele elektronen vanuit de valentieband naar de energetisch hoger gelegen geleidingsband te brengen. De afstand in energie tussen de valentieen de geleidingsband is erg klein (ca. l’eV), zodat bij detectie van een deeltje van 500 eV zeer grote aantallen elektronen in de geleidingsband terecht komen en natuurlijk evenzovele onbezette plaatsen (gaten) in de valentieband achterblijven. Deze ladingdragers kunnen zich nu vrij door het kristal bewegen. Door het aanbrengen van een elektrisch spanningsverschil over de halfgeleider worden de vrijgemaakte ladingdragers aan de elektroden verzameld. Het invallend deeltje veroorzaakt zodoende een spanningspuls waarvan de grootte een goede maat is voor de energie die het deeltje in het kristal is kwijtgeraakt.
Door het geringe energie verschil tussen de valentieband en de geleidingsband bevinden zich bij kamertemperatuur reeds elektronen in de geleidingsband ten gevolge van de warmtebeweging. Dit veroorzaakt ruis en leidt tot een reduktie van het scheidend vermogen. Het is voor nauwkeurige metingen dan ook noodzakelijk de halfgeleider te gebruiken bij een lage temperatuur. De detectoren worden in het algemeen gebruikt bij de temperatuur van vloeibare stikstof (-170 °C). Als materialen zijn bij halfgeleiderdetectoren in gebruik: silicium, voornamelijk voor deeltjesstraling, en germanium, vooral voor gammastraling.