m. (-s), een stof met een geleidingsvermogen dat gewoonlijk groter is dan bij een isolator en kleiner dan bij een geleider.
(e) Het geleidingsvermogen van een halfgeleider gedraagt zich in diverse opzichten anders dan bij isolatoren of geleiders het geval is (b.v. de temperatuursafhankelijkheid). Een scherpe grens is niet te trekken. Naar grootte van het soortelijk geleidingsvermogen (cr) onderscheidt men: 1. metalen, σ → 106 (Ω cm)-1; 2. halfgeleiders, σ = 10-6— 103 (Ω cm)-1; 3. isolatoren, σ → 10-10 (Ω cm)-1. Deze grote verschillen in geleidingsvermogen kunnen met de bandentheorie verklaard worden.
In een halfgeleider ligt een valentieband dicht bij de geleidingsband. In een zeer zuivere halfgeleider zal bij zeer lage temperatuur de valentieband geheel gevuld zijn met elektronen, terwijl de geleidingsband (met een iets hogere energie) leeg is; het geleidingsvermogen is dan nul. Bij hogere temperaturen zullen door de warmtebeweging een aantal elektronen overgaan naar de geleidingsband, waar zij door een elektrisch veld versneld kunnen worden en zo bijdragen tot het geleidingsvermogen, d.i. de intrinsieke geleiding. De elektronen die overgegaan zijn naar de geleidingsband laten in de valentieband een tekort aan elektronen achter, de elektrongaten, waarvan er dus evenveel zijn als van elektronen. Door de aanwezigheid van deze elektrongaten kunnen de achtergebleven elektronen ook versneld worden en bijdragen tot het geleidingsvermogen. Dit kan men opvatten alsof positieve ladingdragers (de elektrongaten) de andere kant op bewegen.
Men kan het geleidingsvermogen beïnvloeden door het toevoegen van donors of acceptors, die elektronen kunnen afgeven aan de geleidingsband resp. onttrekken aan de valentieband, en die dit al doen bij een temperatuur waarbij de intrinsieke geleiding nog verwaarloosbaar is. Bij aanwezigheid van donors zijn er meer elektronen dan elektrongaten, men spreekt dan van een n-type halfgeleider. Een acceptor veroorzaakt een overschot aan elektrongaten, dit geeft een p-type halfgeleider. Het aantal ladingdragers en hun type (n of p) kan worden bepaald met het →Hall-effect.
De halfgeleiders danken hun grote bruikbaarheid enerzijds aan het gemakkelijk bewegen van de ladingdragers door materiaal, terwijl anderzijds het aantal ladingdragers gemakkelijk kan worden gevarieerd. Dit variëren kan blijvend zijn (doteren) of tijdelijk (door elektrische spanningen, belichting, temperatuurverandering). Halfgeleiders worden veel toegepast in elektronische apparaten (dioden, transistoren) en voor de detectie van licht en infrarode straling.
