High electron mobility transistor
Een GaAs microtransistor met een extreem hoge schakelsnelheid bij een heliumkoeling van -120 graden celcius.
Henk Biemond (1985)
Een GaAs microtransistor met een extreem hoge schakelsnelheid bij een heliumkoeling van -120 graden celcius.
Gerelateerde zoekopdrachten
Log hier in om direct te kunnen beginnen met schrijven.
Wil je dit begrip toevoegen aan je favorieten? Word dan snel vriend van Ensie en geniet van alle voordelen: