Een van de technieken in de micro-elektronika voor de fabricage van chips. Bij deze techniek laat men op een chip een dun laagje halfgeleidend materiaal groeien volgens een gewenst patroon.
Men brengt b.v. een plak p-geleidend materiaal in een verhitte ruimte waarin zich dampen van n-geleidend silicium en andere doteringsstoffen bevinden. Deze stoffen zetten zich dan af op de siliciumplak, waarbij de oriëntatie van de nieuwe kristallen zich aanpast aan de kristalstructuur van de plak. Omgekeerd kan men ook een plak n-silicium op deze wijze voorzien van laagjes p-silicium.
