v. (-n, -s), van silicium vervaardigde halfgeleiderdiode waarbij hoge dopingsconcentraties worden gebruikt.
Doordat van de tunneldiode de p-n-sperlaag zeer dun is, kunnen de elektronen reeds bij lage waarden van de uitwendig over de sperlaag aangelegde spanning door de sperlaag tunnelen (een kwantummechanisch effect). Dit heeft tot gevolg dat de stroom-spanningskarakteristiek een gebied met negatieve differentiële weerstand vertoont. De tunneldiode kan toegepast worden als versterkerelement in hoogfrequentschakelingen (b.v. oscillatoren).
