v.,
1. diffusie van gas;
2. methode voor de verrijking van uraan;
3. doteringsmethode voor halfgeleidermaterialen.
© Bij de gasdiffusie worden plakken halfgeleidermateriaal in een oven, waarin temperaturen heersen van 900-1250 °C, in contact gebracht met gasvormige doteringsstoffen. De atomen van de doteringsstof dringen dan geleidelijk in het halfgeleiderkristal. Hoever en hoeveel wordt bepaald door de tijd dat het halfgeleiderkristal in de oven doorbrengt en in zeer belangrijke mate door de temperatuur in de oven. Bij de produktie van chips, waarbij een grote herhalingsnauwkeurigheid van groot belang is omdat er grote aantallen identieke plakken halfgeleidermateriaal vervaardigd moeten worden, is een goede temperatuursbeheersing van kritisch belang,
