v. (-n, -s), elektronische lichtdetector.
(e) Men kan bij fotodiodes twee detectieprincipes onderscheiden. De eerste methode berust op het verschijnsel dat negatieve ladingen (elektronen) vrijkomen wanneer metalen bestraald worden met licht. Het verschijnsel wordt toegepast in de fotodiode bestaande uit twee elektroden in een vacuüm gepompte buis, waartussen een spanningsverschil wordt aangebracht; meestal wordt deze diode een foto-elektrische cel genoemd.
De tweede methode wordt veel toegepast in fotodiodes die bestaan uit halfgeleidermateriaal. Daarbij worden door het opvallende licht in het materiaal elektron-gat-paren gecreëerd. (Daardoor neemt de elektrische geleiding van het materiaal toe; hierop is de lichtgevoelige weerstand gebaseerd.) Treedt de vorming van zo’n paar op in de directe omgeving van een p-n-junctie, dan wordt de Iadingsbalans verstoord, hetgeen resulteert in een elektrische spanning over de junctie. De meestgebruikte halfgeleider is silicium, de fotodiodes die daarmee vervaardigd worden, worden o.a. in de ruimtevaart toegepast (zonnecellen). Het is mogelijk dat in de toekomst op grote schaal van zonnecellen gebruik zal worden gemaakt voor elektriciteitsopwekking op aarde. Fotodiodes op basis van seleen worden toegepast in belichtingsmeters van fototoestellen.
